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Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
5000
I D = 20 A
8
C iss
V DD = 10 V
6
4
2
V DD = 13 V
V DD = 16 V
1000
C oss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
5
10
15
20
25
30
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
40
T J = 125 o C
10
80
60
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
R θ JC = 3.6 C/W
T J = 150 o C
T J =
25 o C
20
Limited by Package
o
V GS = 4.5 V
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
100
10
THIS AREA IS
10 us
100 us
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R θ JC = 3.6 o C/W
1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JC = 3.6 o C/W
T C = 25 o C
1 ms
10 ms
100 ms
DC
100
T C = 25 o C
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
10
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6796A / FDU6796A_F071 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
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